KIOXIA ส่ง UFS 5.0 ชูประสิทธิภาพสูง รองรับยุค On-device AI
KIOXIA เปิดตัว UFS 5.0 ความจุ 1 TB และ 512 GB เริ่มส่งตัวอย่าง พร้อมเดินหน้าผลิตจำนวนมากภายในสิ้นปี
KIOXIA ประกาศเริ่มส่งตัวอย่างหน่วยความจำแฟลชมาตรฐาน UFS 5.0 ในความจุ 1 TB และ 512 GB ให้กับลูกค้าแล้ว พร้อมวางแผนเริ่มการผลิตจำนวนมาก (Mass Production) ภายในสิ้นปีนี้
ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่พัฒนาตามมาตรฐาน JEDEC UFS 5.0 โดยใช้ MIPI M-PHY v6.0 เป็น Physical Layer และ UniPro v3.0 เป็นโปรโตคอลการสื่อสาร พร้อมรองรับการทำงานแบบ HS-Gear6 ซึ่งรองรับอัตราการรับส่งข้อมูลของอินเทอร์เฟซสูงสุด 46.6 Gb/s ต่อเลน ตามสเปก และให้ประสิทธิภาพการอ่าน/เขียนแบบ Dual-Lane สูงสุดประมาณ 10.8 GB/s
ที่ผ่านมา ประสิทธิภาพด้านการอ่านข้อมูลของ UFS ถือเป็นข้อจำกัดสำคัญสำหรับการประมวลผล AI บนอุปกรณ์ (On-device AI) ที่มีความซับซ้อนมากขึ้น ส่งผลให้การเข้าถึงข้อมูลของโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (Large Language Models: LLMs) และเวิร์กโหลด AI ประเภทอื่น ๆ ทำได้ไม่เต็มประสิทธิภาพ โดย KIOXIA ระบุว่า UFS 5.0 รุ่นใหม่นี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อช่วยลดคอขวดดังกล่าว
โซลูชัน KIOXIA UFS 5.0 ผสานการทำงานของคอนโทรลเลอร์ UFS 5.0 ที่บริษัทพัฒนาขึ้นเองเข้ากับหน่วยความจำ KIOXIA BiCS FLASH Generation 8 3D Flash Memory เพื่อมอบประสิทธิภาพและคุณสมบัติที่โดดเด่น ได้แก่
- ความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบลำดับ (Sequential Read) สูงสุด 10 GB/s
- ความเร็วในการเขียนข้อมูลแบบลำดับ (Sequential Write) สูงสุด 9.0 GB/s
- ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์รุ่นก่อนหน้า
- การจัดการความร้อน (Thermal Management) ที่ได้รับการปรับปรุง
- แพ็กเกจแบบ BGA ขนาดกะทัดรัด 7.5 × 13 มม. ซึ่งมีขนาดเล็กกว่าผลิตภัณฑ์รุ่นก่อนหน้า
- มีให้เลือก 2 ความจุ ได้แก่ 1 TB และ 512 GB
KIOXIA คาดว่าหน่วยความจำ UFS 5.0 รุ่นใหม่นี้จะตอบโจทย์อุปกรณ์ยุคใหม่ที่ต้องการแบนด์วิดท์สูง โดยเฉพาะสมาร์ตโฟนและอุปกรณ์ที่รองรับการประมวลผล AI บนอุปกรณ์ ซึ่งต้องอาศัยการเข้าถึงข้อมูลด้วยความเร็วสูงและมีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้น
Source : Kioxia is sampling UFS 5.0 NAND
Translated and edited by Bunpajarn
UFS 5.0| NAND | Memory|
