สวิตชิ่งแรงดันสูงถึง 3,300 V! G3VH SiC MOSFET Relay รุ่นใหม่จาก Aratas
Hightlight
Aratas America เปิดตัว G3VH SiC MOSFET Relay รีเลย์สำหรับงานสวิตชิ่งแรงดันสูง รองรับแรงดันโหลดสูงสุด 1,800 V และ 3,300 V โดยใช้เทคโนโลยี SiC MOSFET ที่ช่วยให้สวิตชิ่งได้รวดเร็ว มีค่ากระแสรั่วไหลต่ำ และลดการสูญเสียพลังงานรวมถึงความร้อนที่เกิดขึ้นระหว่างการทำงาน เหมาะสำหรับอุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ ระบบจัดการแบตเตอรี่ และเครื่องมือวัดที่ต้องการควบคุมแรงดันสูงอย่างแม่นยำ
In detail
Aratas America นำเสนอ G3VH SiC MOSFET Relay รีเลย์ที่ออกแบบมาสำหรับงานสวิตชิ่งแรงดันสูง โดยมีรุ่นรองรับแรงดันโหลดต่อเนื่องที่ 1,800 V และ 3,300 V ตอบโจทย์งานอิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องจัดการกับแรงดันระดับสูง ขณะที่ยังต้องการลดการสูญเสียพลังงานและความร้อนภายในระบบ
จุดเด่นสำคัญของ G3VH อยู่ที่การนำ SiC MOSFET (Silicon Carbide MOSFET) มาใช้เป็นอุปกรณ์สวิตชิ่ง โดย SiC เป็นสารกึ่งตัวนำ Wide Bandgap ที่มีคุณสมบัติเหมาะกับการทำงานที่แรงดันและอุณหภูมิสูงกว่า Silicon MOSFET ทั่วไป อีกทั้งยังสามารถสวิตชิ่งได้รวดเร็วและมีค่ากระแสรั่วไหลต่ำ จึงช่วยลดการสูญเสียพลังงานและการเกิดความร้อน เหมาะสำหรับงานที่ต้องการสวิตชิ่งแรงดันสูงและความแม่นยำในการควบคุม เช่น อุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ ระบบจัดการแบตเตอรี่ และเครื่องมือวัด
ด้วยคุณสมบัติดังกล่าว G3VH จึงเหมาะกับการใช้งานใน อุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (Semiconductor Test Equipment), ระบบจัดการแบตเตอรี่ (Battery Management System: BMS), เครื่องมือวัด รวมถึงระบบอื่น ๆ ที่ต้องการสวิตชิ่งแรงดันสูงอย่างแม่นยำ โดยตัวรีเลย์มีให้เลือกในแพ็กเกจ 6-pin DIP พร้อมขั้วต่อทั้งแบบติดตั้งบนแผงวงจร (Board-mount) และแบบ Surface-mount ช่วยให้สามารถออกแบบอุปกรณ์ให้มีขนาดกะทัดรัดมากขึ้น
สำหรับรายละเอียดทางไฟฟ้า รุ่น 1,800 V รองรับกระแสโหลดต่อเนื่องสูงสุด 30 mA และมีค่ากระแสรั่วไหลสูงสุดเพียง 10 µA เมื่อรีเลย์อยู่ในสถานะเปิดวงจร ขณะที่รุ่น 3,300 V รองรับกระแสโหลดต่อเนื่องได้สูงถึง 300 mA และมีกระแสรั่วไหลสูงสุดเพียง 1 µA
ในด้านความเร็วในการทำงาน รุ่น 1,800 V มีเวลา Turn-on สูงสุด 1 ms ส่วนรุ่น 3,300 V อยู่ที่ 2 ms ขณะที่เวลา Turn-off ของทั้งสองรุ่นอยู่ที่ 0.2 ms สำหรับค่าความต้านทานขณะนำกระแส (On-resistance) รุ่น 1,800 V มีค่า 200 Ω และรุ่น 3,300 V มีค่าเพียง 5 Ω
ค่าคุณสมบัติทางไฟฟ้าดังกล่าววัดภายใต้เงื่อนไขที่กระแสอินพุต (IF) เท่ากับ 10 mA และใช้กระแสโหลดตามค่ากระแสโหลดต่อเนื่องของแต่ละรุ่น โดยจ่ายกระแสโหลดเป็นระยะเวลาน้อยกว่า 1 วินาที
Bunpajarn Insight
G3VH สะท้อนให้เห็นทิศทางของการนำ SiC MOSFET เข้ามาใช้ในงานรีเลย์แรงดันสูง ซึ่งช่วยตอบโจทย์ระบบที่ต้องการทั้งแรงดันใช้งานสูง การสวิตชิ่งที่รวดเร็ว และการลดกระแสรั่วไหล โดยเฉพาะอุปกรณ์ทดสอบและระบบจัดการแบตเตอรี่ที่ความแม่นยำของการสวิตชิ่งมีความสำคัญ ขณะเดียวกัน รุ่น 3,300 V ยังมี On-resistance เพียง 5 Ω และรองรับกระแสโหลดต่อเนื่อง 300 mA จึงมีจุดเด่นด้านการลดการสูญเสียขณะนำกระแส อย่างไรก็ตาม การเลือกใช้งานยังต้องพิจารณาข้อจำกัดด้านกระแสโหลด ระยะเวลาการจ่ายโหลด และค่าความต้านทานของแต่ละรุ่นให้เหมาะสมกับวงจร เพราะแม้ตัวรีเลย์จะรองรับแรงดันได้สูงถึง 3,300 V แต่ไม่ได้หมายความว่าจะเหมาะกับทุกระบบที่มีแรงดันระดับดังกล่าว การออกแบบวงจรและการจัดการด้านความปลอดภัยจึงยังเป็นปัจจัยสำคัญในการนำไปใช้งานจริง
Souce : EDN
Product page : G3VH | Aratas – Americas
Translated and edited by Bunpajarn
Bunpajarn | Learn • Share • Grow Together.
พื้นที่สำหรับคนที่รักและสนใจ Electronics & Embedded
